Tranzysotry polowe

W odróżnieniu od tranzystorów bipolarnych, tranzystory polowe nie są sterowane prądem bazy tylko napięciem między bramką a źródłem (tutaj złącza to źródło, odpowiednik kolektora; bramka, odpowiednik bazy oraz dren, odpowiednik emitera)
Z uwagi na to, że sterujemy napięciem, tranzystor polowy pobiera dużo mniej mocy (prąd wpływający do bramki jest rzędu pA, a nie uA jak w bipolarnych tranzystorach), dzięki temu są stosowane w układach cyfrowych np. w mikroprocesorach.

Poza tym zazwyczaj są to tranzystory o dużo większej mocy (prąd drenu dochodzi tutaj do kilkudziesięciu A). Jest to na tyle duża moc że większośc z nich ma nawet backplate dający możliwość przykręcenia ich do radiatora.
Z uwagi na to wykorzystywane są też w zasilaczach oraz jako zasilanie przekaźnika w systemach wbudowanych, choć często same tranzystory są w stanie zasilić nawet mały silnik DC.

Tranzystory polowe można podzielić na tranzystory J-FET (złączowe) oraz MOSFET (z izolowaną bramką). Działają one w taki sposób, że kiedy na bramkę zostanie podane napięcie, to będzie ono powodowało powstanie pola elektrycznego, które w przypadku J-FETa będzie go coraz bardziej "przytykać" i ograniczać prąd drenu (J-FET jest tranzystorem "normalnie przewodzącym"), a w przypadku MOSFETa coraz bardziej otwierać (inaczej mówiąc zostanie utworzony kanał, przez który prąd będzie mógł przepłynąć ze źródłą do drenu.

Tranzystory te w stanie odcięcia wykazują się rezystancją wejściową na poziomie nawet kilkudziesięciu megaohmów.
Bezpośrednio z tym wiąże się konieczność stosowania rezystora, o którym wspomniałeś - tranzystory polowe wykazują lekko pojemnościowe właściwości, przez co wytworzone pole elektryczne na bramce, nawet po odłączeniu napięcia, pozostanie tam na stałe uniemożliwiając odcięcie lub otwarcie tranzystora.
Stosując taki rezystor (nazywa się go rezystorem pull-down, czyli "ściągający"), umożliwiamy rozładowanie tego pola i w efekcie powrót tranzystora do jego pierwotnego stanu.

Warto dodać że w przypadku tranzystora J-FET należy podać na bramkę ujemne napięcie względem źródła, a w przypadku MOSFET dodatnie względem źródła.